【行知讲坛】宽禁带半导体技术


编辑发布: 王霞 作者: 发布日期: 2017-04-07

45日下午,信息工程学院“宽禁带半导体技术”专题报告会在二教一楼报告厅举行,主讲人为信息工程学院博士陈珍海,科研处、信息工程学院近200名师生参加了报告会。

  报告会上,陈珍海详细介绍了有关宽禁带半导体的技术指标、应用领域、研究现状等。他说,宽禁带半导体材料是一种新型材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点,适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成电子器件,能够适应苛刻的工作环境。陈珍海还介绍了碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)等半导体新材料,综合叙述了这些材料的性能、发展现状和趋势;同时介绍了SiCGaNZnO材料的应用情况和代表性器件的研究进展;列举了国内外的研究成果、产品特性、并介绍了我校借助校企合作,与祁门电子厂商共同研究开发宽禁带半导体技术所取得的阶段性成果。从半导体到宽禁带,从微电子到器件研发,陈珍海深入浅出地介绍了相关专业知识。

  陈珍海,高级工程师,2014年获西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业博士学位,20087月至20158月在中国电子科技集团公司第五十八研究所工作,20159月来我校信息工程学院任教,长期从事数模混合集成电路设计研究工作,主要研究方向为:功率半导体器件和数模混合集成电路设计。获2015年中国电子科技集团公司技术发明一等奖1项(排名第1),主持省部级项目4项,项目总经费1200万,并作为子课题负责人参与国家科技重大专项项目2项。在国内外期刊和国际会议上发表本领域论文39篇;以第一作者出版本领域专著1部(电子工业出版社, 29.5 万字);申请专利40项(发明31项),其中24项(发明17项)已获得授权。

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